半导体装置之制造方法及半导体装置之制造装置

摘要

本发明系关于一种半导体装置之制造方法及半导体装置之制造装置，系提供一种可修复曝露在CO2电浆之低介电率绝缘膜所受到的损伤而可使低介电率绝缘膜为良好的状态，并提高半导体装置之性能与可靠度的半导体装置之制造方法以及半导体装置之制造装置。其中该半导体装置之制造方法系具有：对形成于基板之低介电率绝缘膜进行蚀刻之蚀刻处理步骤；于该蚀刻处理步骤后，将基板曝露在CO2电浆之CO2电浆处理步骤；以及于CO2电浆处理步骤后，对低介电率绝缘膜照射紫外线之紫外线处理步骤。