工作温度可控多芯片组件的集成方法

摘要

本发明公开了温度可控多芯片组件的集成方法，该方法采用包括微型热电致冷、厚膜丝网印刷、厚膜激光调阻、多层低温共烧陶瓷、热信号采集的厚膜热敏电阻的一体化集成技术来制作；所用多层共烧陶瓷基片由多层陶瓷烧结而成，在每一层含有金属化通孔、导带和阻带；在多层共烧陶瓷基片的第二层陶瓷版上埋置厚膜热敏电阻，位置正对温度较敏感的集成电路芯片；在该基片正面集成导带、阻带、集成电路芯片、小容量电感、电容和微型元器件；在该基片背面集成半导体致冷器，并分别从N型半导体、P型半导体的两端通过通孔连接到表面键合区。本发明使器件长期工作在某一特定的工作温度范围内，能确保器件长期工作的温度稳定性，提高器件的长期可靠性。

主权项

一种温度可控多芯片组件的集成方法，它是采用包括微型热电致冷、厚膜丝网印刷、厚膜激光调阻、多层低温共烧陶瓷、热信号采集的厚膜热敏电阻的一体化集成技术来制作温度可控多芯片组件；所用多层共烧陶瓷基片由多层陶瓷烧结而成，在每一层含有金属化通孔、导带、裕量较大的阻带；其特征在于：在多层共烧陶瓷基片的第二层陶瓷版上埋置厚膜热敏电阻，其位置正对温度较敏感的集成电路芯片；在该基片正面进行多芯片三维平面集成，包括导带、阻带、集成电路芯片、小容量电感、电容和微型元器件；在该基片背面进行半导体致冷器的集成，并分别从N型半导体、P型半导体的两端通过通孔的形式连接到表面键合区。