半导体处理装置之清洁方法及矽基板之蚀刻方法

摘要

本发明之课题在于提供一种，可高速的除去在半导体处理装置的处理室内所生成之由高介电常数氧化物所组成之堆积物．附着物，并且防止其他化合物所导致之堆积物生成之半导体处理装置之清洁方法。;本发明之半导体处理装置之清洁方法，系除去半导体处理装置的处理室内所生成之由高介电常数氧化物所组成之堆积物或是附着物之半导体处理装置清洁方法，其特征为，藉由电浆处理或是加热处理，将氧原子供应性气体或是氧化性气体中之任一项与卤素系列气体混合之后的气体加以活化，而除去上述堆积物或是附着物。