一种钕铁硼磁体的制备方法

摘要

一种钕铁硼磁体的制造方法，本发明磁体的成分通式为：R1R2FeMB，R1代表选自Nd、Pr、La、Ce、Sm、Sc、Y和Eu之中的至少一种元素，含量为23～35wt％；R2代表选自Tb、Dy、Gd、Ho之中的至少一种元素，含量为0.1～5wt％；M代表除Fe以外的过渡族金属，含量为0.01～5wt％；B为单质硼，含量为0.8～1.2wt％；余量为Fe及不可避免杂质。其制备步骤为：把金属R2中的一种或几种元素镀到磁体表面，然后通过一级高温热处理使所镀金属R2扩散到磁体内部，再通过二级低温回火消除高温处理带来的不平衡组织及内应力。其中镀膜所采用的方法为低温熔盐电沉积法。本发明的优点是：可以大大提高生产效率，降低磁体制备过程中重稀土用量，节约稀土资源，同时在不降低磁体剩磁和磁能积的情况下获得高矫顽力。

主权项

一种钕铁硼磁体制造方法，其特征在于：在磁体R1FeMB的表面上通过电沉积法镀R2薄膜，然后通过热处理使R2扩散到磁体R1FeMB内部，得到成分为R1R2FeMB的磁体，其中R1代表选自Nd、Pr、La、Ce、Sm、Sc、Y和Eu之中的至少一种元素，含量为23～35wt％；R2代表选自Tb、Dy、Gd和Ho之中的至少一种元素，含量为0.1～5wt％；B为元素硼，含量为0.8～1.2wt％；M代表除Fe以外的过渡族金属，含量为0～5wt％；余量为Fe及不可避免杂质。