发明名称 N型直拉硅单晶的工艺方法
摘要 本发明实施例公开了一种N型直拉单晶硅的工艺方法,采用的工艺条件包括:等径过程中的埚转为6-7rpm。通过控制该工艺等径过程中的埚转,有效地降低了生长的硅单晶棒的头部氧含量,提高了其头部的品质,从而提高硅单晶棒的利用率,节约了成本。
申请公布号 CN102220632B 申请公布日期 2012.12.12
申请号 CN201110171512.0 申请日期 2011.06.23
申请人 英利能源(中国)有限公司 发明人 高文宽;郭凯;王辉;刘磊
分类号 C30B15/20(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 主分类号 C30B15/20(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 逯长明;王宝筠
主权项 一种N型直拉硅单晶的工艺方法,其特征在于,在8英寸的直拉硅单晶工艺的等径初期,采用的工艺条件包括:埚转为6‑7rpm;且在等径初期之前,放肩过程中形成的肩部高度为70‑100mm,肩部夹角为34°‑47°;以降低生长的硅单晶棒的头部氧含量。
地址 071051 河北省保定市朝阳北大街3399号