| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种n沟道型HK/MG晶体管，其具有由含有La和Hf的第一高介电膜形成的栅极绝缘膜、及由金属膜和多晶硅膜的层叠膜形成的栅电极，并形成在由形成在半导体衬底的主面上的由含有氧原子的绝缘膜形成的元件分离部围成的活性区域，其中，在跨过元件分离部的上述栅电极下方，代替第一高介电膜，形成有La的含量比第一高介电膜少的、含有Hf的第二高介电膜。 | ||
| 申请公布号 | CN102822959A | 申请公布日期 | 2012.12.12 |
| 申请号 | CN201080066028.5 | 申请日期 | 2010.03.30 |
| 申请人 | 瑞萨电子株式会社 | 发明人 | 时田裕文 |
| 分类号 | H01L21/8244(2006.01)I;H01L27/11(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8244(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 杨宏军 |
| 主权项 | 一种半导体器件，其特征在于，包括：元件分离部，形成在半导体衬底的主面上，由含有氧原子的绝缘膜形成；活性区域，形成在所述半导体衬底的主面上，且与所述元件分离部相邻；第一绝缘膜，形成在所述活性区域及所述元件分离部上，并含有La和Hf；第二绝缘膜，在所述元件分离部之上与所述第一绝缘膜相连，La的含量比所述第一绝缘膜少且含有Hf；栅电极，形成在所述第一绝缘膜及所述第二绝缘膜之上。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||