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一种无核心封装基板的制造方法，其包含：提供一临时核心层，该临时核心层之每一侧具有一金属支撑层及一第一金属箔层，该金属支撑层具有一粗糙表面及一平坦表面，及该金属支撑层之平坦表面结合于该第一金属金箔之一平坦表面；在该临时核心层之二侧分别依序堆叠一第一介电层及第二金属箔层，其中该第一金属箔层之一粗糙表面朝向该第一介电层；对每一该第二金属箔层进行图案化，以分别形成一第二电路层；在每一该第二电路层外堆叠至少一增层结构，该增层结构包含一增层介电层及一增层金属箔层；及移除该临时核心层及金属支撑层，以得到二无核心封装基板，每一该无核心封装基板至少包含该第一金属箔层、第一介电层、第二电路层及至少一增层结构。如申请专利范围第1项所述之无核心封装基板的制造方法，其中在提供该临时核心层之步骤中，该临时核心层系为含有B阶段热固性树脂之核心层。如申请专利范围第1项所述之无核心封装基板的制造方法，其中该临时核心层之金属支撑层的厚度大于该第一金属箔层之厚度。如申请专利范围第1项所述之无核心封装基板的制造方法，其中在堆叠该增层结构之步骤后及移除该临时核心层之步骤前，另对该增层结构之增层介电层及增层金属箔层进行钻孔、填孔及图案化，以形成数个导通孔及一增层电路层。如申请专利范围第1项所述之无核心封装基板的制造方法，其中在得到该无核心封装基板之步骤后，另对该无核心封装基板之第一金属箔层及第一介电层进行钻孔、填孔及图案化，以形成一第一电路层及数个导通孔。如申请专利范围第5项所述之无核心封装基板的制造方法，其中在形成该第一电路层之步骤后，在该第一电路层上形成一防焊层，并对该防焊层进行图案化，以形成数个开口，裸露一部分的该第一电路层，以提供数个焊垫。如申请专利范围第1项所述之无核心封装基板的制造方法，其中在得到该无核心封装基板之步骤后，另对该增层结构之增层介电层及增层金属箔层进行钻孔、填孔及图案化，以形成数个导通孔及一增层电路层。如申请专利范围第7项所述之无核心封装基板的制造方法，其中在形成该增层电路层之步骤后，在该增层电路层上形成一防焊层，并对该防焊层进行图案化，以形成数个开口，裸露一部分的该增层电路层，以提供数个焊垫。如申请专利范围第6或8项所述之无核心封装基板的制造方法，其中在形成该防焊层及焊垫之步骤后，在该焊垫之表面形成一助焊层。如申请专利范围第9项所述之无核心封装基板的制造方法，其中该助焊层选自电镀镍层、电镀金层、无电镀镍化金层、浸镀银、浸镀锡或有机保护膜。如申请专利范围第1项所述之无核心封装基板的制造方法，其中该第一金属箔层、第二金属箔层及增层金属箔层之厚度实质介于10至35微米之间。如申请专利范围第1项所述之无核心封装基板的制造方法，其中该第一介电层及增层介电层之厚度实质介于30至55微米之间。 |
