用于硅通孔(TSV)的电测试的系统和方法

摘要

一种用于执行至少通孔(10)的电测试的测试系统，该通孔(10)至少部分地延伸通过半导体材料的主体(2)的衬底(3)并且具有掩埋在衬底(3)中并且从主体(2)的外部不可访问的第一末端(10b)。该测试系统具有电测试电路(22)，该电测试电路(22)集成在主体(2)中并且电耦合到通孔(10)并且电耦合到由主体(2)承载的、用于朝向外部的电连接的电连接元件(8)；电测试电路(22)具有集成在衬底(3)中的掩埋微电子结构(28)以便电耦合到通孔(10)的第一末端(10b)，从而在衬底(3)中关闭电路径并且允许通过电连接装置(8)检测通孔(10)的至少一个电参数。

主权项

一种被配置为执行至少第一通孔(10)的电测试的测试系统，所述第一通孔(10)至少部分地延伸穿过半导体材料的第一主体(2)的衬底(3)，所述测试系统包括第一电测试电路(22)，所述第一电测试电路(22)集成在所述第一主体(2)中并且电耦合到所述第一通孔(10)并且电耦合到由所述第一主体(2)承载、用于朝向外部的电连接的电连接装置(8)，所述第一电测试电路(22)包括接口级(26)，所述接口级(26)被配置为创建所述电连接装置(8)与所述第一通孔(10)之间的第一电路径；其中所述第一通孔(10)具有掩埋在所述衬底(3)中并且从所述第一主体(2)的外部不可访问的第一末端(10b)，其特征在于，所述第一测试电路(22)包括集成在所述衬底(3)中的掩埋微电子结构(28)，以便电耦合到所述第一通孔(10)的所述第一末端(10b)，从而在所述衬底(3)中关闭所述第一电路径并且允许通过所述电连接装置(8)检测所述第一通孔(10)的至少一个电参数。