发明名称 |
一种变形槽栅介质的CSTBT器件 |
摘要 |
一种变形槽栅介质的CSTBT器件,属于半导体功率器件技术领域。本发明在传统CSTBT器件的基础上,改变槽内沟道区下方,即P型基区(5)下方栅介质层(7)的形状,使沟槽底部的多晶硅栅极12被更多的栅介质层7所包围,在基本不影响器件其他参数的情况下,可极大程度的提高器件的击穿电压,能更好的实现击穿电压与导通压降的折中关系,进一步优器件的综合性能。 |
申请公布号 |
CN102779842A |
申请公布日期 |
2012.11.14 |
申请号 |
CN201210248741.2 |
申请日期 |
2012.07.18 |
申请人 |
电子科技大学 |
发明人 |
李泽宏;李巍;陈伟中;李长安;张金平;任敏;张波 |
分类号 |
H01L29/423(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/423(2006.01)I |
代理机构 |
成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 |
代理人 |
温利平 |
主权项 |
一种变形槽栅介质的CSTBT器件,其元胞结构包括金属有源发射极(1)、金属栅电极(2)、金属集电极(3)、N+有源区(4)、P型基区(5)、P+体区(6)、栅介质层(7)、N型载流子存储层(8)、N‑漂移区(9)、N+电场终止层(10)、P+集电区(11)和多晶硅栅极(12);金属化集电极(3)位于P+集电区(11)的背面,N+电场终止层(10)位于P+集电区(11)的正面,N‑漂移区(9)在N+电场终止层(10)的上方;N+有源区(4)和P+体区(6)相互接触且并排位于金属有源发射极(1)的下方并与金属有源发射极(1)相连;P型基区(5)位于N+有源区(4)和体P+区(6)的下方,N型载流子存储层(8)位于P型基区(5)和N‑漂移区(9)之间;栅极结构为沟槽型栅,包括金属栅电极(2)、栅介质层(7)和多晶硅栅极12,多晶硅栅极(12)向下穿过N+有源区(4)、P型基区(5)和N型载流子存储层(8)并延伸入N‑漂移区(9),多晶硅栅极(12)的上表面与金属栅电极(2)相连,多晶硅栅极12的侧面及地面被栅介质层(7)包围,栅介质层(7)的侧壁分别与N+有源区(4)、P型基区(5)、N型载流子存储层(8)和N‑漂移区(9)接触;其特征在于,所述P型基区(5)下方的栅介质层(7)的侧壁以及底部的厚度大于P型基区(5)以上的栅介质层(7)的侧壁的厚度。 |
地址 |
611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号 |