发明名称 |
移位缓存器电路 |
摘要 |
本发明实施例提供一种移位缓存器电路,该移位缓存器电路包含多级移位缓存器以提供多个栅极信号至多个栅极线。每一级移位缓存器包含上拉单元、输入单元、储能单元、放电单元以及下拉单元。上拉单元根据驱动控制电压与第一时钟以上拉第一栅极信号。输入单元用来将前级移位缓存器产生的第二栅极信号输入为驱动控制电压,驱动控制电压即储存于储能单元。放电单元用来根据第二时钟与第三时钟对驱动控制电压执行交互下拉运作。下拉单元用来根据第二时钟与第三时钟对第N栅极信号执行交互下拉运作。通过本发明实施例,可降低漏电流与减轻电压应力,提高移位缓存器电路的可靠度及使用寿命。 |
申请公布号 |
CN101853705B |
申请公布日期 |
2012.10.31 |
申请号 |
CN201010193391.5 |
申请日期 |
2010.05.27 |
申请人 |
友达光电股份有限公司 |
发明人 |
蔡宗廷 |
分类号 |
G11C19/28(2006.01)I;G09G3/36(2006.01)I |
主分类号 |
G11C19/28(2006.01)I |
代理机构 |
北京三友知识产权代理有限公司 11127 |
代理人 |
陶海萍 |
主权项 |
一种移位缓存器电路,用以提供多个栅极信号至多个栅极线,所述移位缓存器电路包含多级移位缓存器,所述多级移位缓存器的一第N级移位缓存器包含:一上拉单元,电连接于所述多个栅极线的一第N栅极线,用来根据一驱动控制电压与一第一时钟以上拉所述多个栅极信号的一第N栅极信号;一输入单元,电连接于所述上拉单元与所述多级移位缓存器的一第(N‑1)级移位缓存器,用来将所述第(N‑1)级移位缓存器所产生的一第(N‑1)栅极信号输入为所述驱动控制电压;一储能单元,电连接于所述上拉单元与所述输入单元,用来储存所述驱动控制电压;一放电单元,电连接于所述储能单元,用来根据一第二时钟与一第三时钟对所述驱动控制电压执行交互下拉运作;以及一下拉单元,电连接于所述第N栅极线,用来根据所述第二时钟与所述第三时钟对所述第N栅极信号执行交互下拉运作;其中,所述第一时钟的脉冲升缘、所述第二时钟的脉冲升缘与所述第三时钟的脉冲升缘依序错开。 |
地址 |
中国台湾新竹市 |