| 发明名称 | 耗尽型VDMOS及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了提供一种耗尽型VDMOS及其制造方法，其中耗尽型VDMOS包括：一第一掺杂类型的掺杂衬底；形成于所述衬底一面上的第一掺杂类型的外延层；形成于所述外延层内的至少两个第二掺杂类型的深阱；以及形成于每个所述深阱两侧的两个第一掺杂类型的离子注入沟道区，其中，所述沟道区相互分开。本发明所提供的耗尽型VDMOS的沟道区是通过采用掩膜层的离子注入形成，因其精确的沟道区的结构以及高质量的栅极氧化层都能够保证更高的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN102760754A | 申请公布日期 | 2012.10.31 |
| 申请号 | CN201210271677.X | 申请日期 | 2012.07.31 |
| 申请人 | 杭州士兰集成电路有限公司 | 发明人 | 赵金波;王维建;曹俊 |
| 分类号 | H01L29/10(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/266(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种耗尽型VDMOS，其特征在于，包括：一第一掺杂类型的掺杂衬底；形成于所述衬底一面上的第一掺杂类型的外延层；形成于所述外延层内的至少两个第二掺杂类型的深阱；以及形成于每个所述深阱两侧的两个第一掺杂类型的离子注入沟道区，其中，所述沟道区的长度范围为1μm～3μm，所述沟道区相互分开。 | ||
| 地址 | 310018 浙江省杭州市杭州（下沙）经济技术开发区东区10号路308号 | ||