| 发明名称 | 多晶硅制造装置及利用该装置的多晶硅制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种多晶硅制造装置，包括：反应管，在内部包含硅颗粒；流动气体供应部，向上述反应管内的硅颗粒供应流动气体；气体排出部，排出在上述反应管中产生的气体；压力传感器，安装于上述气体排出部或上述流动气体供应部内；以及颗粒排出口，当上述压力传感器测量的压力大于等于基准压力值时，将在上述反应管内部形成的多晶硅排出到外部。 | ||
| 申请公布号 | CN102745693A | 申请公布日期 | 2012.10.24 |
| 申请号 | CN201110294450.2 | 申请日期 | 2011.09.30 |
| 申请人 | 硅科创富有限公司 | 发明人 | 丁允燮;金根镐;尹汝均;金镇成 |
| 分类号 | C01B33/03(2006.01)I;C01B33/031(2006.01)I | 主分类号 | C01B33/03(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人 | 姜虎;陈英俊 |
| 主权项 | 一种多晶硅制造装置，其特征在于，包括：反应管，在内部包含硅颗粒；流动气体供应部，向上述反应管内的硅颗粒供应流动气体；气体排出部，排出在上述反应管中产生的气体；压力传感器，安装于上述气体排出部或上述流动气体供应部内；以及颗粒排出口，当上述压力传感器测量的压力大于等于基准压力值时，将在上述反应管内部形成的多晶硅排出到外部。 | ||
| 地址 | 韩国大田市 | ||