光电动势装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种光电动势装置的制造方法，无需大量追加制造工序，而可通过简单的工序形成在光电动势装置的与光入射侧电极接合的部分形成的高浓度扩散层。包括：在P型硅基板(101)和光的入射面侧的整个面形成按照第1浓度扩散了N型的杂质的高浓度N型扩散层(102H)的工序；在高浓度N型扩散层(102H)上形成耐蚀刻膜(103)，在耐蚀刻膜(103)上的凹部形成区域(105a)内的规定的位置处，形成微细孔(104)的工序；以微细孔(104)的形成位置为中心，以在凹部形成区域(105a)内不使高浓度N型扩散层残留的方式，对硅基板(101)进行蚀刻而形成凹部的工序；在形成凹部的面上形成按照比第1浓度低的第2浓度扩散了N型的杂质的低浓度N型扩散层(102L)的工序；以及在硅基板(101)的光的入射面侧的电极形成区域(105b)中形成栅电极(111)的工序。

主权项

一种光电动势装置的制造方法，其特征在于，包括：第1扩散层形成工序，在第1导电类型的半导体基板的光的入射面侧的整个面扩散第2导电类型的杂质，形成第1浓度的第1扩散层；耐蚀刻膜形成工序，在所述第1扩散层上形成具有耐蚀刻性的耐蚀刻膜；微细孔形成工序，在所述耐蚀刻膜上的凹部形成区域内的规定的位置，使用所述耐蚀刻膜吸收的波长的激光形成微细孔，使所述第1扩散层露出；凹部形成工序，以所述第1扩散层的露出位置为中心，以在所述凹部形成区域内不使所述第1扩散层残留的方式，使用蚀刻液对所述第1扩散层和所述半导体基板进行蚀刻而形成凹部；耐蚀刻膜去除工序，去除所述耐蚀刻膜；第2扩散层形成工序，在形成所述凹部的面扩散比所述第1浓度低的第2浓度的第2导电类型的杂质，形成第2扩散层；以及表面电极形成工序，在所述半导体基板的所述光的入射面侧的所述凹部形成区域以外的电极形成区域形成表面电极。