发明名称 蜂窝结构体、Si-SiC系复合材料、蜂窝结构体的制造方法及Si-SiC系复合材料的制造方法
摘要 本发明的课题是更容易地形成电极部的同时,进一步降低体积电阻率。提供蜂窝结构体20,具备形成有作为流体流路的多个巢室23的隔壁部22。该蜂窝结构体20具备:电极部32,它形成于部分隔壁部22,具有SiC相、含Si氧化物、Al氧化物和碱土类金属氧化物的氧化物相,以及含有金属Si和金属Al且相对于金属Si和该金属Al的总量的金属Al的比例在0.001mol%以上20mol%以下的金属相;和发热部34,它是隔壁部22的一部分,体积电阻率高于电极部32。该蜂窝结构体,是在具有SiC相和含Si氧化物的氧化物相的蜂窝基材的部分表面上,形成含有金属Si和金属Al的浸渍基材和碱土类金属的化合物,在惰性气氛下加热,令金属Si及金属Al浸渍于蜂窝基材的气孔内而得到的。
申请公布号 CN102720569A 申请公布日期 2012.10.10
申请号 CN201210090452.4 申请日期 2012.03.19
申请人 日本碍子株式会社 发明人 古川昌宏;近士真理子;松田和幸
分类号 F01N3/28(2006.01)I;B01J27/224(2006.01)I;B01J35/04(2006.01)I 主分类号 F01N3/28(2006.01)I
代理机构 上海市华诚律师事务所 31210 代理人 徐申民;李晓
主权项 一种蜂窝结构体,是具有形成作为流体流路的多个巢室的隔壁部的蜂窝结构体,具备:电极部,其形成于所述隔壁部的一部分,具有SiC相、氧化物相以及金属相,所述氧化物相包括Si氧化物、Al氧化物和碱土类金属氧化物,所述金属相包括金属Si和金属Al且相对于该金属Si和该金属Al的总量的金属Al的比例在0.001mol%以上20mol%以下;和发热部,其形成于所述隔壁部的剩余部分,体积电阻率高于所述电极部。
地址 日本爱知县名古屋市瑞穗区须田町2番56号