| 主权项 |
一种具消耗性金属基核心载体之半导体晶片制造组装方法，至少包含下列步骤：(A)提供一多层增层载板，且该多层增层载板系包含一增层载板及一金属基核心载体，于其中，该增层载板系包括一第一表面及一相对之第二表面，且该第一表面系面对第一方向，由该第二表面接触该金属基核心载体，并在第一方向垂直延伸于该金属基核心载体之外，且该增层载板系透过该金属基核心载体作电性连接，而该增层载板之构装系包含在该金属基核心载体上形成复数个凹洞后，置放一终端于该复数个凹洞中，以及于该金属基核心载体上逐次置放一线路层，其中，该复数个凹洞之形成系包含在该金属基核心载体上形成一介电层，且该介电层系包含一开口，系显露出部分之金属基核心载体及该凹洞，经由该介电层之开口逐次置放一终端金属及一导电填充物在该凹洞中构装该终端，且于一第二方向以该金属基核心载体覆盖该终端金属及该导电填充物，并仅透过该介电层之开口蚀刻显露之金属基核心载体，而不蚀刻穿透该金属基核心载体；而该线路层之逐次置放系包含至少放置两层线路层之上方线路层与一下方线路层，且该介电层系介于该两层线路层之间；(B)将一半导体晶片以机械之方式附着于该多层增层载板上，于其中，该半导体晶片系包含一第一表面及一相对之第二表面，且该半导体晶片之第一表面系包含一电极；(C)形成一电子连接接合点，电性连接该增层载板与该半导体晶片之电极；(D)构成一封装结构，覆盖该半导体晶片及该增层载板，于其中，该封装结构系包含一面对第一方向之第一表面、及一面对于相对该第一方向之第二方向之第二表面，且该封装结构在该第一方向系垂直延伸于该半导体晶片、该增层载板及该金属基核心载体之外；以及(E)蚀刻该金属基核心载体，从而形成该半导体晶片之组装。依据申请专利范围第1项所述之具消耗性金属基核心载体之半导体晶片制造组装方法，其中，该线路层之逐次置放系透过该介电层上至少一个导电盲孔，连接该上方线路层与该下方线路层。依据申请专利范围第1项所述之具消耗性金属基核心载体之半导体晶片制造组装方法，其中，该增层载板之构装系包含置放一终端金属于该金属基核心载体，形成一终端，以及于该金属基核心载体上逐次置放一线路层。依据申请专利范围第1项所述之具消耗性金属基核心载体之半导体晶片制造组装方法，其中，该方法系可进一步包含在该金属基核心载体于蚀刻之前，将该半导体晶片附着于该增层载板，并将二者互连。依据申请专利范围第1项所述之具消耗性金属基核心载体之半导体晶片制造组装方法，其中，该金属基核心载体于蚀刻之前，系可进行该封装。依据申请专利范围第1项所述之具消耗性金属基核心载体之半导体晶片制造组装方法，其中，该金属基核心载体之蚀刻系包含显露之线路层、介电层、及终端，且不显露第二方向之封装结构。依据申请专利范围第1项所述之具消耗性金属基核心载体之半导体晶片制造组装方法，其中，该金属基核心载体之蚀刻系将一电路图案与其他于该增层载板上形成之电路图案作电隔离。 |
