复合缓冲层的氮化物高电子迁移率晶体管外延结构

摘要

本发明是复合缓冲层的氮化物高电子迁移率晶体管外延结构，其结构是衬底上是生长成核层；成核层上是第一缓冲层；在缓冲层上是生长缓冲层；在第二缓冲层上是生长沟道层；在沟道层上是生长势垒层；其生长方法包括，衬底经清洗、吹干后在反应室内高温烘烤；在衬底上生长成核层；在成核层上第一缓冲层；在缓冲层上生长缓冲层；在缓冲层上生长沟道层；在沟道层上生长势垒层；降至室温。优点：依然能够与GaN沟道层形成导带带阶，增强2DEG限域性，提高器件的微波性能和功率特性。可以提高缓冲层热导率，有效降低AlGaN缓冲层HEMT器件的自热效应。Al_yGa_1-yN缓冲层的晶体质量能得到有效提高。有助于进一步提升器件的性能及可靠性。

主权项

1.复合缓冲层的氮化物高电子迁移率晶体管外延结构，其特征是衬底上是生长成核层；成核层上是第一缓冲层；第一缓冲层上是生长第二缓冲层；第二缓冲层上是生长沟道层；沟道层上是生长势垒层；其生长方法，包括以下步骤：第一步，衬底经清洗、吹干后在反应室内高温烘烤；第二步，在衬底上生长成核层；第三步，在成核层上第一缓冲层；第四步，在第一缓冲层上生长第二缓冲层；第五步，在第二缓冲层上生长沟道层；第六步，在沟道层上生长势垒层；第七步，降至室温。