| 发明名称 | 降低漏电流的电路 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及一种降低漏电流的电路，包括第一金氧半场效应管和第二金氧半场效应管，所述第一金氧半场效应管的栅极与第二金氧半场效应管的漏极相连；所述第一金氧半场效应管和第二金氧半场效应管的源极均接地；所述第一金氧半场效应管的漏极通过第一电阻与供电端相连；所述第二金氧半场效应管的漏极通过第二电阻与供电端相连；所述第一金氧半场效应管的漏极还与后端电路的开关控制端相连。本实用新型可以大幅降低待机电流和该电路上的工作电流。 | ||
| 申请公布号 | CN202395734U | 申请公布日期 | 2012.08.22 |
| 申请号 | CN201120541411.3 | 申请日期 | 2011.12.21 |
| 申请人 | 上海博泰悦臻电子设备制造有限公司 | 发明人 | 张瑜;谢小毛 |
| 分类号 | H03K17/16(2006.01)I;H03K17/687(2006.01)I | 主分类号 | H03K17/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人 | 宋缨 |
| 主权项 | 一种降低漏电流的电路，包括第一金氧半场效应管(U1)和第二金氧半场效应管(U2)，其特征在于，所述第一金氧半场效应管(U1)的栅极与第二金氧半场效应管(U2)的漏极相连；所述第一金氧半场效应管(U1)和第二金氧半场效应管(U2)的源极均接地；所述第一金氧半场效应管(U1)的漏极通过第一电阻(R1)与供电端相连；所述第二金氧半场效应管(U2)的漏极通过第二电阻(R2)与供电端相连；所述第一金氧半场效应管(U1)的漏极还与后端电路的开关控制端相连。 | ||
| 地址 | 200235 上海市长宁区中山西路1800号兆丰环球大厦2楼D座 | ||