| 摘要 |
<p>본 발명은 상기한 종래기술에 따른 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로서, 스페이서 패터닝 공정 적용시 노광마진을 증가시키고 노광 한계를 극복할 수 있는 반도체장치 제조 방법을 제공하기 위한 것으로, 본 발명의 반도체장치 제조 방법은 피식각층 상에 하드마스크층과 희생층을 적층하는 단계; 상기 희생층 상에 홀이 정의된 마스크패턴을 형성하는 단계; 상기 홀을 매립하는 제1필라를 형성하는 단계; 상기 마스크패턴을 제거하는 단계; 상기 제1필라를 식각장벽으로 상기 희생층을 식각하여 제2필라를 형성하는 단계; 상기 제2필라의 측벽을 에워싸는 스페이서를 형성하는 단계; 상기 제2필라를 제거하는 단계; 상기 스페이서를 식각장벽으로 상기 하드마스크층을 식각하는 단계; 및 상기 하드마스크층을 식각장벽으로 상기 피식각층을 식각하여 홀패턴을 형성하는 단계를 포함하고, 상술한 본 발명은 마스크패턴을 홀형태로 형성하고, 후속 제1필라(산화물), 제2필라(스핀온카본), 스페이서를 이용하므로써 노광마진을 증가시키고 노광 한계를 극복할 수 있다. 이에 따라 미세 선폭의 장치 제조가 가능하여 넷다이(Net Die)를 증가시켜 제조 원가를 감소시킬 수 있는 효과가 있다.</p> |
