太阳电池无死层发射极的制作方法

摘要

本发明属于晶体硅太阳电池的制作技术领域，具体涉及一种无死层发射极的制作方法。该发明先采用传统扩散方法制备发射极，通过在硅片表面印刷腐蚀性浆料的方法，将掺杂浓度较高的死层发射极区腐蚀掉的方法，制备具有优良性能的无死层发射极，此工艺可以有效地去除电池片表面的死层发射极区，提高太阳电池的短波响应，减小暗电流，有效提高电池片的开路电压，并且易于工业化生产。

主权项

一种太阳电池无死层发射极的制作方法，其特征在于包括以下步骤：（1）将制绒后的硅片，放入扩散炉，进行扩散制备结深为150—500nm的发射极，方阻为20—80ohm/sq;（2）将已完成扩散的硅片，印刷腐蚀性浆料；（3）将印刷有腐蚀性浆料的硅片放入烧结炉中烘干并腐蚀硅片； （4）将硅片放入浓度为5%—10%的HF酸溶液中，超声波清洗1—60min，得到无死层发射极。