半导体记忆装置

摘要

本发明提供一种非挥发性半导体记忆装置，其具有适合记忆胞阵列配置之低电阻闸极。于一种分裂闸极构造之非挥发性半导体记忆装置中，于藉由侧壁间隔片形成记忆体闸极时，藉由多晶矽形成该记忆体闸极后置换为矽化镍。藉此，可在不影响对选择闸极或扩散层之矽化物化下进行低电阻化。