发明名称 |
静电吸附电极及其制造方法和基板处理装置 |
摘要 |
本发明提供一种静电吸附电极及其制造方法和基板处理装置,该静电吸附电极不产生耐电压性能的问题而较薄地形成绝缘覆膜,又能够确保所需吸附力,不需要消除电荷。在具备利用静电力来吸附保持玻璃基板(G)的基板保持面的静电吸附电极(6)中,具备通过喷镀形成的被设置于基材(5)上的绝缘覆膜(41)以及被设置于绝缘覆膜(41)中的、被施加正电压的第一电极层(42a)和被施加负电压的第二电极层(42b)。 |
申请公布号 |
CN101901778B |
申请公布日期 |
2012.08.08 |
申请号 |
CN201010185980.9 |
申请日期 |
2010.05.27 |
申请人 |
东京毅力科创株式会社 |
发明人 |
佐佐木芳彦;南雅人;古屋敦城 |
分类号 |
H01L21/683(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/683(2006.01)I |
代理机构 |
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 |
代理人 |
刘新宇;陈立航 |
主权项 |
一种静电吸附电极,具备利用静电力来吸附保持基板的基板保持面,该静电吸附电极的特征在于,具备:被设置于基材上通过喷镀而形成的绝缘覆膜;以及被设置于上述绝缘覆膜中的第一电极层和第二电极层,其中,上述第一电极层被施加正电压,上述第二电极层被施加负电压,上述绝缘覆膜具有第一覆膜和位于上述第一覆膜下方的第二覆膜,上述第一覆膜包含位于上述第一电极层和上述第二电极层上方的基板保持面,上述第二覆膜上形成有上述第一电极层和上述第二电极层,上述第一覆膜的介电常数高于上述第二覆膜的介电常数。 |
地址 |
日本东京都 |