发明名称 中温烧结微波介质陶瓷
摘要 本发明公开了一种中温烧结微波介质陶瓷,原料组分及其摩尔百分比含量为MgTiNb2O8。制备步骤为:配料、混合、烘干、过筛,于780℃煅烧3小时合成熔块,再压制成型为坯体,于1100~1200℃烧结,制得MgTiNb2O8微波介质陶瓷。本发明烧结温度低,品质因数高,为36,000~60,000GHz,介电常数为28~32,温度稳定性好,谐振频率温度系数为-7.4~31×10-6/℃,本发明广泛应用于微波技术各个领域。
申请公布号 CN102617141A 申请公布日期 2012.08.01
申请号 CN201210097380.6 申请日期 2012.04.05
申请人 天津大学 发明人 李玲霞;廖擎玮;任翔;孟庆磊;王洪茹
分类号 C04B35/495(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I 主分类号 C04B35/495(2006.01)I
代理机构 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人 曹玉平
主权项 一种中温烧结微波介质陶瓷,原料组分及其摩尔百分比含量为MgTiNb2O8。其制备步骤如下:(1)将原料MgO、Nb2O5、TiO2分别按MgTiNb2O8化学式称量配料;(2)将上述配置好的化学原料混合,放入球磨罐中,加入氧化锆球和去离子水,原料∶去离子水∶锆球的质量比为1∶1∶1.2,球磨1~12小时,将球磨后的原料于红外干燥箱中烘干,过筛;(3)将步骤(2)混合均匀的粉料在780℃煅烧3小时合成熔块;(4)将步骤(3)熔块中外加质量百分比为0.35~0.75%聚乙烯醇放入球磨罐中,加入氧化锆球和去离子水,球磨4~8小时,烘干后过筛,再用粉末压片机压制成Φ10mm×5mm的圆柱型坯体;(5)将步骤(4)圆柱型坯体于1100~1200℃烧结2~6小时,制得MgTiNb2O8微波介质陶瓷;(6)用网络分析仪测试微波介质陶瓷的微波介电性能。
地址 300072 天津市南开区卫津路92号