发明名称 一种双层ITO 布线结构
摘要 本发明公开了一种双层ITO布线结构,所述每层ITO上分别设有第一种触控电极和第二种触控电极,所述第一种触控电极的形状由两个等幅度、等宽度、方向相反的矩形波对称排列组成,且其中间形成第一空隙;所述第二种触控电极的形状由两个等幅度、等宽度、方向相反的矩形波对称封闭连接组成,且其中间形成第二空隙,所述第二种触控电极最边缘的矩形波波谷的宽度是所述矩形波波峰宽度的一半。通过上述方式,本发明使ITO层上电极的分布更加紧密,显著提高了ITO层的侦测灵敏度和线性度,有效降低了电源噪声干扰。
申请公布号 CN102622151A 申请公布日期 2012.08.01
申请号 CN201210048991.1 申请日期 2012.04.27
申请人 苏州瀚瑞微电子有限公司 发明人 张开立
分类号 G06F3/044(2006.01)I 主分类号 G06F3/044(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种双层ITO布线结构,所述每层ITO上分别设有第一种触控电极和第二种触控电极,其特征在于,所述第一种触控电极的形状由两个等幅度、等宽度、方向相反的矩形波对称排列组成,且其中间形成第一空隙;所述第二种触控电极的形状由两个等幅度、等宽度、方向相反的矩形波对称封闭连接组成,且其中间形成第二空隙,所述第二种触控电极最边缘的矩形波波谷的宽度是所述矩形波波峰宽度的一半。
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