半导体器件

摘要

一种半导体器件，包含：存储器单元，其包括布置在其中的多个磁阻元件；以及外围电路区，其布置在所述存储器单元区的周围。所述磁阻元件包括磁化固定层、磁化自由层和隧穿绝缘层。所述半导体器件包括位于所述磁阻元件之上、在沿主表面的方向上延伸的多个第一布线。在外围电路区中，布置有由材料与磁化自由层相同的层、材料与隧穿绝缘层相同的层和材料与磁化固定层相同的层叠合而成的多层结构，以便在平面图中重叠于由与第一布线相同的层形成的第二布线。在外围电路区中，所述多层结构在平面图中不同时重叠于成对的相邻第二布线中的两者。

主权项

一种半导体器件，包含：半导体衬底，具有主表面；存储器单元区，包括布置在其中的多个磁阻元件，所述磁阻元件形成于所述半导体衬底的主表面之上且电阻根据磁化方向变化，所述磁阻元件包括磁化方向固定的磁化固定层、磁化方向可变的磁化自由层以及插在所述磁化固定层与所述磁化自由层之间的隧穿绝缘层；层间绝缘膜，布置在与所述磁阻元件相同的层；外围电路区，在平面图中布置在所述存储器单元区的外围；多个第一布线，形成于所述磁阻元件上方、在沿所述主表面的方向上延伸且耦合到所述磁阻元件的顶表面；以及多层结构，布置在所述外围电路区中以便在平面图中重叠于由与所述第一布线相同的层形成的第二布线，所述多层结构包含材料与形成所述磁阻元件的磁化自由层相同的层、材料与所述隧穿绝缘层相同的层以及材料与所述磁化固定层相同的层，其中，在所述外围电路区中布置所述多层结构以使其在平面图中不同时重叠于成对的相邻所述第二布线中的两者。