| 发明名称 | 平整化氮化物基板的方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭露一种平整化氮化物基板的方法，首先选择独立式氮化物基板的特定面向，对该面向进行蚀刻，在经过适度的蚀刻时间后，该特定面向的表面会产生特定的形貌，如柱状或洞状或平坦状等结构，从而降低独立式氮化物基板的翘曲程度以达到平整化氮化物基板的效果。 | ||
| 申请公布号 | CN102586889A | 申请公布日期 | 2012.07.18 |
| 申请号 | CN201110072117.7 | 申请日期 | 2011.03.16 |
| 申请人 | 财团法人交大思源基金会 | 发明人 | 李威仪;陈奎铭;吴尹豪;叶彦显 |
| 分类号 | C30B33/12(2006.01)I;C30B33/10(2006.01)I;C25F3/12(2006.01)I;C30B29/40(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | C30B33/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 任永武 |
| 主权项 | 一种平整化氮化物基板的方法，其特征是：提供一具有下方凸起的一氮化镓基板；以及使用一干蚀刻方法蚀刻该具有下方凸起的该氮化镓基板的一上方，藉以形成平整化的氮化物基板。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市大学路1001号 | ||