| 发明名称 | 基于电荷陷阱的存储器 | ||
| 摘要 | 本发明描述制作3D电荷陷阱存储器单元的方法连同包含所述3D电荷陷阱存储器单元的设备及系统。在由导电及绝缘材料交替层形成的平面堆叠中，可形成大致垂直开口。在所述垂直开口内侧，可形成包括第一层、电荷陷阱层、穿隧氧化物层及外延硅部分的大致垂直结构。本发明还描述额外实施例。 | ||
| 申请公布号 | CN102576710A | 申请公布日期 | 2012.07.11 |
| 申请号 | CN201080042884.7 | 申请日期 | 2010.08.25 |
| 申请人 | 美光科技公司 | 发明人 | 尼马尔·拉马斯瓦米;古尔特杰·S·桑胡 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 宋献涛 |
| 主权项 | 一种制作电荷陷阱存储器单元的方法，其包括：在由导电及绝缘材料交替层形成的平面堆叠中形成大致垂直开口；及在所述大致垂直开口中形成大致垂直结构，所述大致垂直结构至少由第一层、电荷陷阱层、穿隧氧化物层及外延硅部分形成。 | ||
| 地址 | 美国爱达荷州 | ||