一种掺镓氧化锌透明导电膜及其制备方法和应用

摘要

本发明属于发光材料领域，其公开了一种掺镓氧化锌透明导电膜的制备方法，包括步骤：制备Ga2O3:ZnO陶瓷靶材；对镀膜设备的腔体进行真空处理；调整磁控溅射镀膜工艺参数，进行镀膜处理。本发明制备掺镓氧化锌透明导电膜，所用的靶材是单一Ga成份的靶材，通过调整磁控溅射镀膜工艺参数，制备出不同Ga含量的薄膜；本发明的掺镓氧化锌透明导电膜电阻率随着Ga含量的增加，先降低后升高，在Ga含量为4.6wt％时达到最低6.6×10-4Ω·cm，且其可见光平均透过率大于85％。

主权项

一种掺镓氧化锌透明导电膜的制备方法，包括如下步骤：选用质量比为1∶99～5∶95的Ga2O3和ZnO为原材料，研磨成粉体后经高温烧结处理，制得Ga2O3:ZnO陶瓷靶材；将上述制得的Ga2O3:ZnO陶瓷靶材和衬底间隔相对地装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体中，所述真空腔体的真空度为1.0×10‑3Pa～1.0×10‑5Pa；并对所述衬底进行预热处理；调整磁控溅射镀膜工艺参数为：溅射功率为60～160W，工作压强0.2～2.0Pa，以及氩气工作气体的流量15～35sccm；然后进行镀膜处理，制得所述掺镓氧化锌透明导电膜。