| 发明名称 | 绝缘层上的半导体结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种绝缘层上的半导体结构及其制造方法，该结构包括：多晶半导体基底，用于提供支撑；绝缘层，位于多晶半导体基底的上方；半导体层，位于绝缘层的上方，用于制造半导体器件。另外，该制造方法包括步骤：提供多晶半导体基底，在其上形成绝缘层；提供另一半导体基底，将其与绝缘层相粘合；根据实际的要求，在绝缘层上形成厚度不同的半导体层，半导体层为另一半导体基底的部分或者全部。本发明采用多晶半导体材料作为基底，只要能对结构起到机械支撑的作用，避免了使用昂贵且较厚的单晶硅材料，降低了该结构的生产成本，不仅有助于绝缘层上的半导体技术的推广，还减少了生产过程中的原材料消耗，降低污染。 | ||
| 申请公布号 | CN102543834A | 申请公布日期 | 2012.07.04 |
| 申请号 | CN201210032812.5 | 申请日期 | 2012.02.14 |
| 申请人 | 上海先进半导体制造股份有限公司 | 发明人 | 张挺 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 陈亮 |
| 主权项 | 一种绝缘层上的半导体结构(100)，包括：多晶半导体基底(101)，用于提供支撑；绝缘层(103)，位于所述多晶半导体基底(101)的上方；半导体层(105)，位于所述绝缘层(103)的上方，用于制造半导体器件。 | ||
| 地址 | 200233 上海市徐汇区虹漕路385号 | ||