发明名称 |
一种用于抗腐蚀掩膜浆料的清洗工艺方法 |
摘要 |
一种用于抗腐蚀掩膜浆料的清洗工艺方法,包括以下步骤:(1)碱溶液鼓泡:利用鼓泡加速掩膜浆料的脱离、溶解,去除大部分掩膜浆料;(2)纯水喷淋:利用喷淋的方式快速去除硅片表面残留化学品;(3)碱溶液鼓泡:利用鼓泡加速掩膜浆料的脱离、溶解,去除残留的掩膜浆料;(4)纯水喷淋:利用喷淋的方式快速去除硅片表面残留化学品;(5)超声波清洗:利用酒精溶液超声,清洗掉硅片表面附着的有机物;(6)纯水喷淋:利用喷淋的方式快速洗去硅片表面上的化学品。与现有普遍采用的用于抗腐蚀掩膜浆料的清洗工艺相比,本发明可彻底去除硅片表面的掩膜浆料及各种杂质,杜绝了其对后续工艺及最终电池片性能的影响。 |
申请公布号 |
CN102527676A |
申请公布日期 |
2012.07.04 |
申请号 |
CN201110417933.7 |
申请日期 |
2011.12.14 |
申请人 |
青岛吉阳新能源有限公司 |
发明人 |
孙良欣;徐国良;郭育林 |
分类号 |
B08B7/04(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
B08B7/04(2006.01)I |
代理机构 |
北京市商泰律师事务所 11255 |
代理人 |
毛燕生 |
主权项 |
一种用于抗腐蚀掩膜浆料的清洗工艺方法,其特征在于包括以下步骤:(1)碱溶液鼓泡:利用鼓泡加速掩膜浆料的脱离、溶解,去除大部分的掩膜浆料;(2)纯水喷淋:利用喷淋的方式快速去除硅片表面残留化学品;(3)碱溶液鼓泡:利用鼓泡加速掩膜浆料的脱离、溶解,去除残留的少量掩膜浆料;(4)纯水喷淋:利用喷淋的方式快速去除硅片表面残留化学品;(5)超声波清洗:利用酒精溶液超声,清洗掉附着于硅片表面的有机物;(6)纯水喷淋:利用喷淋的方式快速洗去硅片表面上的化学品。 |
地址 |
266000 山东省青岛市即墨市青岛北部工业园区内龙泉二路北创业三路东7号楼 |