一种聚焦环

摘要

本实用新型公开了一种聚焦环，设置于一等离子体蚀刻室中的基座上方的基片的外周侧，所述的基座外周侧设有一支撑环，所述的聚焦环位于所述支撑环的上方，所述的聚焦环包含：一主环和一延伸环，所述的主环包括一上表面；所述的延伸环至少部分地延伸至基片的下表面的边缘以内，所述的延伸环底部与所述支撑环相接触；所述主环厚度小于所述主环上表面到所述支撑环的垂直高度。本实用新型提供的聚焦环由于主环的厚度小于聚焦环的总厚度，因而所需的SiC材料大大减少，制成聚焦环的速度也就大大提高，不仅提高了生产效率，而且大大节约了制作成本。

主权项

一种聚焦环，位于一等离子体蚀刻室中的基座（3）上方的基片（2）的外周侧，所述的基座（3）外周侧设有一支撑环（5），所述的聚焦环位于所述支撑环（5）的上方，其特征在于，所述的聚焦环包含：一主环（11），所述的主环（11）包括一上表面；一延伸环（13），所述的延伸环（13）至少部分地延伸至基片（2）的下表面的边缘以内，所述的延伸环底部与所述支撑环相接触；所述主环（11）厚度小于所述主环上表面到所述支撑环（5）的垂直高度。