清洗由太阳能蚀刻浆料制造的太阳能电池表面开口的方法

摘要

本发明描述了一种薄硅太阳能电池，其具有背表面介电钝化层以及具有局部背面场的后接触。特别地，该太阳能电池可由厚度为50至500微米的晶体硅制成。阻挡层和介电层至少施加到硅晶片的背表面，以避免硅晶片在形成后接触时变形。对介电层形成至少一个开口。提供背面场的铝接触形成在开口中和介电层上。铝接触可通过丝网印刷含1～12原子％的硅的铝浆料，并接着在750摄氏度的温度下对其进行热处理来施加。

主权项

一种用于形成背接触的方法，包括：在厚度为50～200微米的薄硅晶片的掺杂基板上形成扩散层，其中所述硅晶片具有前表面和背表面；在所述硅晶片的背表面上形成旋涂介电层；在所述旋涂介电层上形成阻挡层；对所述阻挡层的1～10％的表面区域施加蚀刻浆料；在300～380摄氏度的温度下对所述蚀刻浆料进行第一热处理，其中所述第一热处理实施30～45秒，其中所述蚀刻浆料蚀刻穿透所述阻挡层和所述旋涂介电层的至少一部分；利用含氢氟酸的溶液从开口移除残留物，以及通过所述开口形成接触。