一种APS芯片测试及筛选方法

摘要

本发明公开了一种APS芯片测试及筛选方法，针对宇航级APS芯片成本高、采购周期长带来的影响，对工业级APS芯片进行高温老炼试验，并对老炼前后APS芯片的特定的光电性能参数进行测试，通过比较老炼前后光电参数的变化量来判断器件的性能的优劣，从中筛选出满足宇航任务使用要求的芯片。

主权项

1.一种APS芯片测试方法，其特征在于包括以下步骤：(1)获取测试用图像将被测APS芯片置于均匀光照下，选取n个曝光时间，并按选取的曝光时间各采集m幅的明场图像；将被测APS芯片置于暗室中，选取与明场图像相同的n个曝光时间，并按选取的曝光时间各采集m幅的暗场图像；(2)计算测试参数利用获取的共n＊m幅明场图像，计算每个曝光时间情况下明场图像的均值μ_y.light、时域噪声方差空域噪声方差利用获取的共n＊m幅暗场图像，计算每个曝光时间情况下暗场图像的均值μ_y.dark、时域噪声方差空域噪声方差(3)确定被测APS芯片的光电参数计算系统增益K，所述系统增益K用于表示APS芯片将生成的光电荷数转换为相应灰度值的转换系数；利用获得的系统增益K分别计算平均暗电流N_d，响应不一致性PRNU，暗电流不一致性DCNU，暗底不一致性DSNU。