在金属钛基片上合成二氧化锰薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种在金属钛基片上合成二氧化锰薄膜材料的方法。其特征在于以金属钛作为生长基片，直接在其上水热生长二氧化锰薄膜；通过改变合成条件，可以得到晶体结构和组织结构不同的产物，晶型由δ型向α型转变，组织结构由纳米片向纳米棒转变；所制得的二氧化锰薄膜材料具有良好的电化学性能。本发明所述的二氧化锰薄膜是以高锰酸钾、去离子水和pH值调节剂（如盐酸、硫酸、硝酸等）为原料，采用水热法合成的。该法工艺简单、成本低、易于工业化；同时所得产物的电化学性能良好，具有作为超级电容器电极材料的应用潜力。

主权项

一种在金属钛基片上合成的二氧化锰薄膜的方法，其特征在于具有以下工艺过程和步骤：a．对钛基片进行预处理：砂纸打磨，氢氟酸酸洗，NaOH碱洗，去离子水洗，无水乙醇清洗，再次去离子水洗；b．量取适量的去离子水，滴加酸液，酸液为盐酸、硫酸、硝酸中的任一种，调节溶液的pH值至pH=1.0~2.0； c．加入一定量的高锰酸钾，将其溶于上述所得到的酸溶液中，并且磁力搅拌至得到均匀的紫红色溶液；高锰酸钾溶液的浓度为0.06mol/L~0.16mol/L；d．将步骤c的溶液转入带有聚四氟乙烯内衬的不锈钢反应釜中，加入步骤(a)中处理好的钛基片，反应釜密封后加热并在温度150~200℃下保温2~6小时以进行水热反应；e．步骤d反应结束后冷却至室温，取出样品，洗涤，干燥后得到二氧化锰薄膜材料。