| 发明名称 | 检测光刻胶缺陷的方法 | ||
| 摘要 | 一种检测光刻胶缺陷的方法，包括：提供半导体晶圆，涂覆光刻胶；对所述光刻胶进行前测，统计缺陷数量，得到前值；按照参照时间和参照温度参数烘烤所述涂覆好光刻胶的半导体晶圆；对所述光刻胶进行后测，统计缺陷数量，得到后值；比较前值和后值，判断所述光刻胶是否合格。所述参照时间和参照温度由参数确定实验确定。本发明的检测光刻胶缺陷的方法快捷有效，节省时间，并且大大的节省了整个工艺成本和缩短了工艺周期。 | ||
| 申请公布号 | CN102496586A | 申请公布日期 | 2012.06.13 |
| 申请号 | CN201110379496.4 | 申请日期 | 2011.11.24 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 胡林 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I;G01N21/88(2006.01)I;G03F7/16(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种检测光刻胶缺陷的方法，其特征在于，包括：提供半导体晶圆；在半导体晶圆上涂覆光刻胶；对所述光刻胶进行前测，统计缺陷数量，得到前值；按照参照时间和参照温度参数烘烤所述涂覆好光刻胶的半导体晶圆；对所述光刻胶进行后测，统计缺陷数量，得到后值；比较所述前值和后值之差，判断所述光刻胶是否合格。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区浦东张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||