| 摘要 |
1. Способ изготовления фотошаблонов для контактной фотолитографии с субмикронными и нанометровыми проектными нормами, отличающийся тем, что изготавливают фотошаблон для проекционной фотолитографии с увеличенными в N раз размерами по сравнению с размерами на изготавливаемом фотошаблоне для контактной фотолитографии и с использованием этого фотошаблона для проекционной фотолитографии и установок для проекционной фотолитографии, уменьшающих переносимый рисунок в N раз, переносят изображение на специальные круглые пластины, изготовленные из прозрачного для ультрафиолетового излучения материала, имеющие линейные размеры, соответствующие линейным размерам кремниевых пластин, применяемых при изготовлении интегральных схем с использованием данных установок для проекционной фотолитографии, и из этих специальных круглых пластинах изготавливают фотошаблоны для контактной фотолитографии, для чего проводят экспонирование фоторезистивного слоя, нанесенного на поглощающий ультрафиолетовое излучение слой, нанесенный на поверхность специальных круглых пластин, изготовленных из прозрачного для ультрафиолетового излучения материала, проявление фоторезистивного слоя, анизотропное высокоселективное травление поглощающего ультрафиолетовое излучение слоя через полученную фоторезистивную маску, обрезку пластин до необходимых размеров и очистку поверхности полученного фотошаблона для контактной фотолитографии от остатков фоторезистивной маски и других загрязнений. ! 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве прозрачного для ультрафиолетового излучения материала при изготовлении специальных к� |
