发明名称 图案化的方法及集成电路结构
摘要 一种图案化的方法。首先,于目标层上依序形成掩膜层及多个第一转移图案。接着,于第一转移图案之间的间隙中形成多个第二转移图案,同时减小第一转移图案的宽度。然后,于第一转移图案与第二转移图案之间的间隙中形成多个第三转移图案,同时减小第一转移图案与第二转移图案的宽度。之后,以第一转移图案、第二转移图案及第三转移图案为掩膜,移除部份的掩膜层,以形成图案化掩膜层。继之,以图案化掩膜层为掩膜,移除部份的目标层。
申请公布号 CN101859697B 申请公布日期 2012.05.30
申请号 CN201010001492.8 申请日期 2010.01.12
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 吕函庭
分类号 H01L21/033(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I 主分类号 H01L21/033(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 汤保平
主权项 一种图案化的方法,包括:于一目标层上依序形成一掩膜层及多个第一转移图案;对所述第一转移图案的表面进行一第一转换工艺,以于所述第一转移图案的表面上形成多个第一转换图案,该第一转换工艺使该多个第一转移图案的宽度减小;于所述第一转换图案之间的间隙中填入多个第二转移图案;移除所述第一转换图案;对所述第一转移图案及所述第二转移图案的表面进行一第二转换工艺,以于所述第一转移图案及所述第二转移图案的表面上形成多个第二转换图案,该第二转换工艺使该多个第一转移图案和多个第二转移图案的宽度减小;于所述第二转换图案之间的间隙中填入多个第三转移图案;移除所述第二转换图案;以所述第一转移图案、所述第二转移图案及所述第三转移图案为掩膜,移除部份的该掩膜层,以形成一图案化掩膜层;以及以该图案化掩膜层为掩膜,移除部份的该目标层。
地址 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号
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