芯片型半导体陶瓷电子元器件

摘要

本发明提供一种芯片型半导体陶瓷电子元器件，其具有：由半导体陶瓷形成的陶瓷胚体、形成于陶瓷胚体的两个端面上的第1外部电极、及以覆盖第1外部电极的表面及陶瓷胚体的一部分侧面的方式延伸的第2外部电极，且电阻值的偏差较小，热冲击引起的电阻变化较小，基板安装良好。其特征在于，将陶瓷胚体的转角部的曲率半径设为R(μm)，将第1外部电极层中与陶瓷胚体接触的层的自陶瓷胚体的端面起的最大厚度设为y(μm)，且将第2外部电极中与陶瓷胚体的侧面接触的层的自所述陶瓷胚体的转角部的顶点起的最小厚度设为x(μm)时，满足20≤R≤50，且0.5≤x≤1.1时，满足-0.4x+0.6≤y≤0.4，1.1≤x≤9.0时，满足-0.0076x+0.16836≤y≤0.4。

主权项

一种芯片型半导体陶瓷电子元器件，具有由半导体陶瓷形成的陶瓷胚体、形成于陶瓷胚体的两个端面上的第1外部电极、及以覆盖所述第1外部电极的表面及所述陶瓷胚体的一部分侧面的方式延伸的第2外部电极，其特征在于，由所述陶瓷胚体的侧面与端面所构成的转角部具有曲面，将所述陶瓷胚体的转角部的曲率半径设为R(μm)，所述第1外部电极由与所述陶瓷胚体具有欧姆性接触的材料形成，将所述第1外部电极层中与所述陶瓷胚体接触的层的自所述陶瓷胚体的端面起的最大厚度设为y(μm)，所述第2外部电极由与所述陶瓷胚体不具有欧姆性接触的材料形成，将所述第2外部电极层中与所述陶瓷胚体的侧面接触的层的自所述陶瓷胚体的转角部顶点起的最小厚度设为x(μm)时，满足20≤R≤50，并且0.5≤x≤1.1时，满足‑0.4x+0.6≤y≤0.4，1.1≤x≤9.0时，满足‑0.0076x+0.16836≤y≤0.4。