| 发明名称 | 用于半导体发光器件的反射性接触 | ||
| 摘要 | 半导体结构包括设置在n型区（20）与p型区（24）之间的发光层（22）。在p型区的一部分上设置有p电极。p电极包括与p型区的第一部分直接接触的反射性第一材料（26）和与邻近于第一部分的p型区的第二部分直接接触的第二材料（30）。第一材料（26）和第二材料（30）在具有相同的厚度的平面层中形成。 | ||
| 申请公布号 | CN102473807A | 申请公布日期 | 2012.05.23 |
| 申请号 | CN201080032980.3 | 申请日期 | 2010.06.24 |
| 申请人 | 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司;皇家飞利浦电子股份有限公司 | 发明人 | J. E.埃普勒 |
| 分类号 | H01L33/40(2006.01)I;H01L33/38(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/40(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 初媛媛;刘鹏 |
| 主权项 | 一种器件，包括：半导体结构，其包括设置在n型区20与p型区24之间的发光层22；p电极，其设置在p型区的一部分上，p电极包括：反射性第一材料26，其与p型区的第一部分直接接触；以及第二材料30，其与邻近于第一部分的p型区的第二部分直接接触；其中，第一材料和第二材料在具有基本上相同的厚度的平面层中形成。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||