氧化物半导体层的非破坏性测试方法和制造方法

摘要

本发明涉及氧化物半导体层的非破坏性测试方法和制造方法。对氧化物半导体层的非破坏性测试方法包括如下步骤：向要测试的非晶或多晶目标氧化物半导体层施加激发光，并且测量从目标氧化物半导体层发射的光之中、比对应于带隙能的波长长的波长范围内的光致发光的强度；以及基于测量结果，估计目标氧化物半导体层的膜特性。

主权项

一种对氧化物半导体层的非破坏性测试方法，包括如下步骤：向待测试的非晶或多晶目标氧化物半导体层施加激发光，并且测量从所述目标氧化物半导体层发射的光之中、比对应于带隙能的波长长的波长范围内的光致发光的强度；采用与所述目标氧化物半导体层相同的方式，测量非晶或多晶基准氧化物半导体层的光致发光强度，并且测量所述基准氧化物半导体层的膜特性，以得到光致发光强度和膜特性之间的关系，所述基准氧化物半导体层具有与所述目标氧化物半导体层相同的元素组成，并且通过与所述目标氧化物半导体层相同的工艺且在相同的沉积温度下来制备；以及基于所述目标氧化物半导体层的光致发光强度的测量结果以及光致发光强度和膜特性之间的所述关系，估计所述目标氧化物半导体层的膜特性。