| 摘要 |
Die Erfindung betrifft eine EUV-Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage mit einer Nutzlichtquelle zur Erzeugung von Strahlung in einem ersten Spektralbereich von 5 nm–15 nm und einer Heizlichtquelle zur Erzeugung von Strahlung in einem zweiten Spektralbereich von 1–50 μm. Weiterhin umfass die Anlage ein optisches System mit einer ersten Gruppe von Spiegeln zur Führung von Strahlung aus dem ersten Spektralbereich entlang eines Lichtweges derart, dass jeder Spiegel der ersten Gruppe während des Betriebs der Nutzlichtquelle mit einer ersten zugeordneten Intensitätsverteilung im ersten Spektralbereich beaufschlagbar ist. Dabei ist die Heizlichtquelle derart angeordnet, dass mindestens ein Spiegel der ersten Gruppe während des Betriebs der Heizlichtquelle mit einer zweiten zugeordneten Intensitätsverteilung im zweiten Spektralbereich beaufschlagbar ist, wobei sich die erste Intensitätsverteilung von der zweiten Intensitätsverteilung im Wesentlichen um einen ortsunabhängigen Faktor unterscheidet. |
