接触孔失效评估方法

摘要

本发明提供了接触孔失效评估方法，包括：提供评估晶圆，在所述评估晶圆上形成评估器件图形，所述评估器件图形包括第一器件区以及第二器件区；其中，第二器件区与PMOS晶体管的结构以及尺寸相同；第一器件区与NMOS晶体管相比，区别在于对应NMOS晶体管的P阱具有不同的掺杂类型，使得在进行电子束扫描时，第一器件区中N型掺杂的有源区的导电能力强于NMOS晶体管的源/漏极；在所述评估晶圆上进行与产品晶圆相同的接触孔形成工艺；采用电子束扫描评估晶圆的表面，并获取晶圆表面各处的扫描亮度；本发明在电子束扫描接触孔时，形成较亮光斑，从而易于与周围区域区分开，有效避免了机台对失效接触孔的漏检或错检。

主权项

一种接触孔失效评估方法，用于评估在产品晶圆上进行接触孔形成工艺的失效情况，所述产品晶圆形成有包括PMOS晶体管以及NMOS晶体管的CMOS器件，其特征在于，包括：提供评估晶圆，在所述评估晶圆上形成评估器件图形，所述评估器件图形包括第一器件区以及第二器件区；其中，第二器件区与所述PMOS晶体管的结构以及尺寸相同；第一器件区与所述NMOS晶体管相比，区别在于对应NMOS晶体管的P阱的区域具有不同的掺杂类型，使得在进行电子束扫描时，所述第一器件区中N型掺杂的有源区的导电能力强于NMOS晶体管的源/漏极；在所述评估晶圆上进行与产品晶圆相同的接触孔形成工艺；采用电子束扫描评估晶圆的表面，并获取晶圆表面各处的扫描亮度；根据接触孔位置与其周围绝缘区域的扫描亮度差异，评估接触孔的失效。