Pseudosubstrat zur Verwendung bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen und Verfahren zur Herstellung eines Pseudosubstrates

摘要

Die Erfindung betrifft ein Pseudosubstrat (1, 11) zur Verwendung bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen, umfassend ein Trägersubstrat (2, 12) mit einer kristallinen Struktur und einen ersten Puffer (3, 13), der auf einer Oberfläche des Trägersubstrates (2, 12), gegebenenfalls auf weiteren dazwischenliegenden Zwischenschichten, angeordnet ist, wobei der erste Puffer (3, 13) als Einzelschicht oder als Mehrschichtsystem ausgebildet ist und zumindest an der dem Trägersubstrat (2, 12) abgewandten Oberfläche Arsen (As) und zumindest eines der Elemente Aluminium (Al) und Indium (In) umfasst. Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass zusätzlich auf einer dem Trägersubstrat (2, 12) abgewandten Seite des ersten Puffers (3, 13), gegebenenfalls auf weiteren dazwischenliegenden Zwischenschichten, ein zweiter Puffer (4, 14) angeordnet ist, welcher als Einzelschicht oder als Mehrschichtsystem ausgebildet ist, wobei der zweite Puffer (4, 14) an einer ersten, dem ersten Puffer (3, 13) zugewandten Oberfläche Arsen und zumindest eines der Elemente Aluminium und Indium umfassend und an einer zweiten, dem ersten Puffer (3, 13) abgewandten Oberfläche Antimon (Sb) und mindestens eines der Elemente Aluminium und Indium umfassend ausgebildet ist und wobei der zweite Puffer mit einem abnehmenden Anteil an Arsen und mit einem zunehmenden Anteil an Antimon jeweils ausgehend von der ersten zu der zweiten Oberfläche hin ausgebildet ist. Die Erfindung betrifft weiterhin ein Verfahren zur Herstellung eines Pseudosubstrates (1, 11).