具有高电阻率性质的低成本基材及其制造方法

摘要

在一个实施方式中，本发明提供的基材构造为使得在其顶层中制造的装置与在标准的高电阻率基材中制造的相同装置具有类似的性质。本发明的基材包括具有标准电阻率的支持体、布置在所述支持体基材上的具有优选为大于约1000Ohm-cm的高电阻率的半导体层、布置在所述高电阻率层上的绝缘层和布置在所述绝缘层上的顶层。本发明也提供制造所述基材的方法。

主权项

用于制造于其中的装置的具有高电阻率(HR)性质的基材的制造方法，所述方法包括：提供具有第一电阻率的支持体；在所述支持体上设置HR半导体层以形成第一中间结构体，所述HR半导体层的厚度为20nm～5000nm，电阻率大于所述支持体的第一电阻率并且大于103Ohm‑cm；在所述HR半导体层上或在施主基材的表面设置厚度为10nm～200nm的绝缘层；组装所述第一中间结构体与所述施主基材；和减小所述施主基材部分的厚度。