发明名称 |
陶瓷衬底的层薄膜器件及生产方法 |
摘要 |
陶瓷衬底的层薄膜器件及生产方法。本发明提供一生产太阳能电池的方法。此方法包括提供的晶体硅衬底可以是单晶或多晶,此衬底的厚度确定为第一厚度,包含了第一面和第二面,第一面是在第二面的对面。此方法亦包含在第一厚度内形成一分隔区域,此分隔区域包含氢元素和化合物分子及基本上并行于第一面,亦在厚度内确定了首部份与次部份,首部份是包括在从第一面开始的第二厚度内。另外,此方法包含在第一面提供一模子结构,此模子结构确定了一支撑区域。再者,此方法包含在支撑区域内形成一层陶瓷物料。此外,此方法包含次部份的移除。而且此方法包含在首部份形成电子器件。最后,本发明提供太阳能瓷砖的太阳能电池的封装结构及连接器。 |
申请公布号 |
CN102339892A |
申请公布日期 |
2012.02.01 |
申请号 |
CN201010234211.3 |
申请日期 |
2010.07.20 |
申请人 |
中晶(香港)有限公司 |
发明人 |
张桓棠;陈聪 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I;H01L31/048(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 |
代理人 |
张春媛;阎娬斌 |
主权项 |
一种生产硅太阳能电池的方法,包括:提供一晶体硅衬底,此衬底的厚度为第一厚度,包含了第一面和第二面,第一面是在第二面的对面;在第一厚度形成一分隔区域,此分隔区域包含氢元素和化合物分子,基本上并行於第一面,此分隔区域在厚度内确定了首部份与次部份,首部份是在由第一面开始的第二厚度之间;在第一面提供了一模子结构,此模子结构确定了一支撑区域;在支撑区域内形成一层陶瓷物料;移除模子结构;移除次部份;与在首部份形成电子器件,此电子器件包括光伏器件。 |
地址 |
中国香港九龙尖沙咀科学馆道一号康宏广场北座25楼16室 |