| 摘要 |
Eine Halbleitervorrichtung umfasst einen Gateanschlussflecken (16), einen Gateverdrahtungsleiter (14), der mit dem Gateanschlussflecken (16) verbunden ist, und eine Gateelektrode (22, 32, 34), die unter dem Gateanschlussflecken (16) und unter dem Gateverdrahtungsleiter (14) ausgebildet ist. Abschnitte der Gateelektrode (22), die näher am Gateanschlussflecken (16) liegen, weisen einen höheren Widerstand pro Flächeneinheit auf als Abschnitte der Gateelektrode (32, 34), die weiter vom Gateanschlussflecken (16) entfernt liegen. |
