发明名称 Monolithisch integrierte optoelektronische Baugruppe
摘要 Monolithisch integrierte optoelektronische Baugruppe mit einem auf ein Substrat aufgebrachten lichtleitenden Schichtstapel, der eine von einer Faser lichtempfangende Wellenleiterschicht aufweist, auf der mindestens eine Wellenleiterintegrierte Fotodiode angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, dass mehrere Wellenleiter-integrierte Fotodioden (2, 7) auf der Wellenleiterschicht (13) angeordnet sind, die derart lateral und/oder vertikal strukturiert ist, dass sich an einen Einkoppelwellenleiter (26) ein optisches Verteilnetzwerk (4) anschließt, das wiederum über Wellenleiterstücke (21) parallel die mehreren Wellenleiter-integrierten Fotodioden (2, 7) speist, die elektrisch in Reihe geschaltet sind, wobei alle Bauelemente auf einem Chip (1) integriert sind und eine Umwandlung einer optischen Eingangsleistung in eine elektrische Leistung zu Stromversorgungszwecken vorgenommen wird.
申请公布号 DE102008008480(B4) 申请公布日期 2012.01.19
申请号 DE20081008480 申请日期 2008.02.08
申请人 FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FOERDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. 发明人 BACH, HEINZ-GUNTER
分类号 H04B10/67 主分类号 H04B10/67
代理机构 代理人
主权项
地址