| 发明名称 | 一种提高GaN HEMT栅槽刻蚀可重复性的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种提高GaN HEMT栅槽刻蚀可重复性的方法，该方法包括：增大ICP托盘内径尺寸；提高ICP托盘高度；以及将待刻蚀的GaN外延片粘附于载片之上再进行栅槽刻蚀。本发明通过增大ICP等离子体刻蚀机反应腔体内的等离子体分布体积，降低等离子体密度，缩短等离子体加速距离，达到消除GaN外延片厚度对栅槽刻蚀的影响，降低GaNHEMT栅槽刻蚀过程中的等离子体轰击损伤，提高器件直流和高频特性。 | ||
| 申请公布号 | CN102315123A | 申请公布日期 | 2012.01.11 |
| 申请号 | CN201010227180.9 | 申请日期 | 2010.07.07 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 黄俊;魏珂;刘新宇;刘果果;樊捷 |
| 分类号 | H01L21/335(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/335(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 一种提高GaN HEMT栅槽刻蚀可重复性的方法，该方法包括：增大ICP托盘内径尺寸；提高ICP托盘高度；以及将待刻蚀的GaN外延片粘附于载片之上再进行栅槽刻蚀。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||