发明名称 一种圆片级封装多层互连结构、制作方法及应用
摘要 本发明提供一种用于微波多芯片模块圆片级封装的多层互连结构、制备方法及其应用。特征在于利用苯并环丁烯BCB等作为介质层,以光刻、电镀、机械抛光等圆片级加工工艺相结合实现金属/有机聚合物的多层互连结构,并可嵌入集成多种无源元器件和互连传输线。整个工艺过程与IC工艺相匹配,并在圆片级的基础上完成,具有较高的封装集成度和较低的高频传输损耗。该结构在提高封装密度和集成度,降低封装成本的同时可以有效地集成多种功能器件单元,减小各元器件间的互连损耗,提高整个模块的性能。
申请公布号 CN101656249B 申请公布日期 2012.01.11
申请号 CN200910054616.6 申请日期 2009.07.10
申请人 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 发明人 丁晓云;耿菲;罗乐
分类号 H01L25/00(2006.01)I;H01L27/00(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I 主分类号 H01L25/00(2006.01)I
代理机构 上海智信专利代理有限公司 31002 代理人 潘振甦
主权项 一种圆片级封装的多层互连结构的制作方法,其特征在于步骤是:(a)在P型或N型硅基板上形成第一金属层;(b)在第一金属层上形成垂直通过互连金凸点;(c)涂覆有机聚合物和机械抛光工艺实现垂直互连;(d)形成第二金属层,完成不同层之间的电互连和内嵌式无源器件,重复(a)~(c)步骤实现多层三维封装。
地址 200050 上海市长宁区长宁路865号