具有垂直存取装置的存储器

摘要

本发明揭示具有垂直存取装置的半导体存储器装置。在一些实施例中，一种形成所述装置的方法包含在半导体衬底(12)中提供凹座(50)，其包含一对相对的侧壁(46)和在所述相对的侧壁之间延伸的底面(48)。可在所述凹座的所述侧壁和所述底面上沉积介电层(62)。可在所述介电层上形成导电薄膜(64)，且对其进行处理以选择性地从所述凹座的所述底面移除所述薄膜，并从所述相对的侧壁移除所述导电薄膜的至少一部分。

主权项

一种形成用于存储器装置的存储器装置结构的方法，其包括：在衬底中提供凹座，所述凹座具有一对相对的侧壁和在所述相对的侧壁之间延伸的底面；向所述凹座的所述侧壁和所述底面沉积介电层；在所述介电层上形成导电薄膜；及对所述导电薄膜进行处理以从所述凹座的所述底面移除所述薄膜并从所述相对的侧壁移除所述导电薄膜的至少一部分，其中对所述导电薄膜进行处理进一步包括：向所述导电薄膜沉积辅助层；对所述辅助层和所述导电薄膜进行间隔物蚀刻以从所述凹座的所述底面移除所述辅助层和所述导电薄膜；及对所述导电薄膜的定位于所述辅助层与所述介电层之间且邻近所述侧壁的部分进行底切以用可调整的方式获得选定操作特性。