LUS半导体与应用电路

摘要

本发明所述的Lus半导体的特点在于，使用极性反转的(与常规SSD相比)SSD、肖特基二极管、或齐纳二极管、或面对面或背对背耦合的肖特基二极管、齐纳二极管、快速二极管、或诸如DIAC和Triac之类的四层器件，替代常规的功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MetalOxide Semiconductor Field Effect Transistor，Power MOSFET)的静电保护二极管(static shielding diode，SSD)。通过使用具有相当低的漏源电阻器(drain to source resistor，Rds)的建议功率MOSFET，有可能实现高效交流/直流转换和直流电压调整这两项主要功能。

主权项

一种功率半导体器件，用于电路中的功率整流与电压调节，所述功率半导体器件包括：金属氧化物半导体场效应晶体管，其具有漏节点与源节点；其特征在于，在制造过程期间在所述金属氧化物半导体场效应晶体管的漏节点与源节点之间形成特性电路，所述特性电路包括：一对背对背或面对面串联耦合的肖特基二极管，一对背对背或面对面串联耦合的静电隔离二极管，一对背对背或面对面串联耦合的齐纳二极管，一对背对背或面对面串联耦合的肖特基二极管和齐纳二极管，一对背对背或面对面串联耦合的肖特基二极管和静电隔离二极管，以及一对背对背或面对面串联耦合的齐纳二极管和静电隔离二极管；所述背对背耦合是指P型节点互连，所述面对面耦合是指N型节点互连；或者交流二极管或双向晶闸管；或者P型节点与所述金属氧化物半导体场效应晶体管的所述漏节点耦合而N型节点与所述源节点耦合的一个快速二极管，一个肖特基二极管或一个齐纳二极管。